賽米控IGBT模塊SKM400GB176D

SEMIPACK系列產(chǎn)品包括晶閘管，整流橋和快速二極管模塊。賽米控的晶閘管/二極管模塊。由于這些年來(lái)各式各樣的修改，SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊擁有完善的可靠性的家簇，有著廣泛的輸出電流，從15A到1200A，電壓等級(jí)從400V到2200V。SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊常用在感應(yīng)電機(jī)的軟啟動(dòng)，晶體化AC電機(jī)控制器的線性整流，DC電機(jī)控制以及電源，溫度控制

北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷(xiāo)售賽米控IGBT模塊SKM400GB176D

IGBT

IGBT是什么？

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

IGBT與MOSFET的對(duì)比

MOSFET全稱(chēng)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。

• 優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

• 缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。

IGBT全稱(chēng)絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。

• 特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極最大飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。

IGBT的典型應(yīng)用

• 電動(dòng)機(jī)

• 不間斷電源

• 太陽(yáng)能面板安裝

• 電焊機(jī)

• 電源轉(zhuǎn)換器與反相器

• 電感充電器

• 電磁爐